|
 |
Название электронного компонента: HYB314100BJ-70 Описание HYB314100BJ-70: 4M x 1bit DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-SOJ-26/20-5 (Pins: 26) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB314100BJ-70 datasheet: 1Mb Скачать HYB314100BJ-70 datasheet: HYB314100BJ-70.PDF |