|
 |
Название электронного компонента: HYB314405BJ-50 Описание HYB314405BJ-50: 1M x 4bit EDO-DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-SOJ-26/20-5 (Pins: 26) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB314405BJ-50 datasheet: 1Mb Скачать HYB314405BJ-50 datasheet: HYB314405BJ-50.PDF |