Название электронного компонента: HYB3117405BT-70 Описание HYB3117405BT-70: 4M x 4bit DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-TSOPII-26/24 300 m (Pins: 26) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB3117405BT-70 datasheet: 285Kb Скачать HYB3117405BT-70 datasheet: HYB3117405BT-70.PDF |