Название электронного компонента: HYB514100BJ-50 Описание HYB514100BJ-50: 4M x 1bit DRAM Производитель: Infineon (formely Siemens) Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: P-SOJ-26/20-2 300 mi (Pins: 26) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер HYB514100BJ-50 datasheet: 108Kb Скачать HYB514100BJ-50 datasheet: HYB514100BJ-50.PDF |