Название электронного компонента: BF1109WR Описание BF1109WR: N-channel dual-gate MOS-FETs Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT343 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BF1109WR datasheet: 145Kb Скачать BF1109WR datasheet: BF1109WR.PDF |