Название электронного компонента: YG811S09R Описание YG811S09R: Schottky barrier diode Производитель: FUJI Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер YG811S09R datasheet: 47Kb Скачать YG811S09R datasheet: YG811S09R.PDF |