|
 |
Название электронного компонента: PPNHZ52F120A Описание PPNHZ52F120A: Insulated Gate Bipolar Transistor Производитель: Microsemi Corporation Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-258 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PPNHZ52F120A datasheet: 102Kb Скачать PPNHZ52F120A datasheet: PPNHZ52F120A.PDF |