Название электронного компонента: MGW12N120D Описание MGW12N120D: Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247AE (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGW12N120D datasheet: 250Kb Скачать MGW12N120D datasheet: MGW12N120D.PDF |