|
 |
Название электронного компонента: MLN1030F Описание MLN1030F: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MLN1030F datasheet: 17Kb Скачать MLN1030F datasheet: MLN1030F.PDF |