|
 |
Название электронного компонента: MLN1030S Описание MLN1030S: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MLN1030S datasheet: 18Kb Скачать MLN1030S datasheet: MLN1030S.PDF |