|
 |
Название электронного компонента: UHBS30-1 Описание UHBS30-1: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер UHBS30-1 datasheet: 18Kb Скачать UHBS30-1 datasheet: UHBS30-1.PDF |