|
 |
Название электронного компонента: ULBM2TE Описание ULBM2TE: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер ULBM2TE datasheet: 16Kb Скачать ULBM2TE datasheet: ULBM2TE.PDF |