|
 |
Название электронного компонента: VHB100-12 Описание VHB100-12: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер VHB100-12 datasheet: 17Kb Скачать VHB100-12 datasheet: VHB100-12.PDF |