|
 |
Название электронного компонента: VHB10-12S Описание VHB10-12S: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер VHB10-12S datasheet: 16Kb Скачать VHB10-12S datasheet: VHB10-12S.PDF |