|
 |
Название электронного компонента: VHB1-12T Описание VHB1-12T: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер VHB1-12T datasheet: 16Kb Скачать VHB1-12T datasheet: VHB1-12T.PDF |