|
 |
Название электронного компонента: VHB25-12S Описание VHB25-12S: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер VHB25-12S datasheet: 16Kb Скачать VHB25-12S datasheet: VHB25-12S.PDF |