|
 |
Название электронного компонента: VHB80-12 Описание VHB80-12: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер VHB80-12 datasheet: 17Kb Скачать VHB80-12 datasheet: VHB80-12.PDF |