|
 |
Название электронного компонента: VLB100-12 Описание VLB100-12: NPN silicon RF power transistor Производитель: Advanced Semiconductor, Inc. Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер VLB100-12 datasheet: 18Kb Скачать VLB100-12 datasheet: VLB100-12.PDF |