Название электронного компонента: MTV6N100E Описание MTV6N100E: TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTV6N100E datasheet: 262Kb Скачать MTV6N100E datasheet: MTV6N100E.PDF |