|
 |
Название электронного компонента: MTV10N100E Описание MTV10N100E: TMOS E-FET power field effect transistor D3PAK for surface mount Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTV10N100E datasheet: 269Kb Скачать MTV10N100E datasheet: MTV10N100E.PDF |