Название электронного компонента: MTP1N100E Описание MTP1N100E: TMOS E-FET power field effect transistor Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTP1N100E datasheet: 203Kb Скачать MTP1N100E datasheet: MTP1N100E.PDF |