Название электронного компонента: MTD1N50E Описание MTD1N50E: TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTD1N50E datasheet: 267Kb Скачать MTD1N50E datasheet: MTD1N50E.PDF |