Название электронного компонента: MTB9N25E Описание MTB9N25E: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTB9N25E datasheet: 258Kb Скачать MTB9N25E datasheet: MTB9N25E.PDF |