|
 |
Название электронного компонента: MTB8N50E Описание MTB8N50E: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTB8N50E datasheet: 162Kb Скачать MTB8N50E datasheet: MTB8N50E.PDF |