Название электронного компонента: MTB4N80E1 Описание MTB4N80E1: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTB4N80E1 datasheet: 160Kb Скачать MTB4N80E1 datasheet: MTB4N80E1.PDF |