|
 |
Название электронного компонента: MTB3N100E Описание MTB3N100E: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTB3N100E datasheet: 262Kb Скачать MTB3N100E datasheet: MTB3N100E.PDF |