Название электронного компонента: MTB33N10E Описание MTB33N10E: TMOS E-FET high energy power FET Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTB33N10E datasheet: 266Kb Скачать MTB33N10E datasheet: MTB33N10E.PDF |