|
 |
Название электронного компонента: MTB1N100E Описание MTB1N100E: TMOS E-FET high energy power FET Производитель: Motorola Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MTB1N100E datasheet: 256Kb Скачать MTB1N100E datasheet: MTB1N100E.PDF |