Название электронного компонента: PHD10N10E Описание PHD10N10E: PowerMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT428 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD10N10E datasheet: 76Kb Скачать PHD10N10E datasheet: PHD10N10E.PDF |