|
 |
Название электронного компонента: PHD6N10E Описание PHD6N10E: PowerMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT428 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер PHD6N10E datasheet: 70Kb Скачать PHD6N10E datasheet: PHD6N10E.PDF |