|
 |
Название электронного компонента: LTE42012R Описание LTE42012R: NPN microwave power transistor Производитель: Philips Semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT440 (Pins: N/A) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер LTE42012R datasheet: 72Kb Скачать LTE42012R datasheet: LTE42012R.PDF |