Название электронного компонента: 2N5429 Описание 2N5429: 100V NPN silicon medium-power transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-66 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5429 datasheet: 132Kb Скачать 2N5429 datasheet: 2N5429.PDF |