Название электронного компонента: 2N5671 Описание 2N5671: 90V High power NPN silicon power transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-3 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5671 datasheet: 125Kb Скачать 2N5671 datasheet: 2N5671.PDF |