Название электронного компонента: 2N5886 Описание 2N5886: Complementary silicon high-power transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-3 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5886 datasheet: 183Kb Скачать 2N5886 datasheet: 2N5886.PDF |