|
 |
Название электронного компонента: BD250C Описание BD250C: 25Ampere complementary silicon high-power transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BD250C datasheet: 131Kb Скачать BD250C datasheet: BD250C.PDF |