Название электронного компонента: BDV65B Описание BDV65B: 12Ampere darlington complementary silicon power transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BDV65B datasheet: 170Kb Скачать BDV65B datasheet: BDV65B.PDF |