|
 |
Название электронного компонента: BDV66B Описание BDV66B: 16Ampere darlington complementary silicon power transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BDV66B datasheet: 102Kb Скачать BDV66B datasheet: BDV66B.PDF |