Название электронного компонента: MJ10013 Описание MJ10013: 10A NPN silicon power darlington transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-3 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJ10013 datasheet: 195Kb Скачать MJ10013 datasheet: MJ10013.PDF |