|
 |
Название электронного компонента: MJ10025 Описание MJ10025: 20A NPN silicon power darlington transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-3 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJ10025 datasheet: 205Kb Скачать MJ10025 datasheet: MJ10025.PDF |