|
 |
Название электронного компонента: MJE4350 Описание MJE4350: 100V complementary silicon high-power transistor Производитель: MOSP Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MJE4350 datasheet: 135Kb Скачать MJE4350 datasheet: MJE4350.PDF |