|
 |
Название электронного компонента: BDX18N Описание BDX18N: 60V PNP silicon transistor epitaxial base Производитель: COMST Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-3 (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BDX18N datasheet: 156Kb Скачать BDX18N datasheet: BDX18N.PDF |