|
 |
Название электронного компонента: M2S56D30TP Описание M2S56D30TP: 256M double data rate synchronous DRAM Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: TSOP (Pins: 66) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер M2S56D30TP datasheet: 259Kb Скачать M2S56D30TP datasheet: M2S56D30TP.PDF |