Название электронного компонента: M2V56S30TP-8 Описание M2V56S30TP-8: 256M synchronous DRAM Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: TSOP (Pins: 54) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер M2V56S30TP-8 datasheet: 244Kb Скачать M2V56S30TP-8 datasheet: M2V56S30TP-8.PDF |