|
 |
Название электронного компонента: M2S56D30ATP Описание M2S56D30ATP: 256M double data rate synchronous DRAM Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: TSOP (Pins: 66) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер M2S56D30ATP datasheet: 824Kb Скачать M2S56D30ATP datasheet: M2S56D30ATP.PDF |