|
 |
Название электронного компонента: M2S56D30AKT Описание M2S56D30AKT: 256M double data rate synchronous DRAM Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: 0°C | Max: 70°C Корпус и выводы: STSOP (Pins: 64) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер M2S56D30AKT datasheet: 824Kb Скачать M2S56D30AKT datasheet: M2S56D30AKT.PDF |