|
 |
Название электронного компонента: WMBT5551LT1 Описание WMBT5551LT1: NPN silicon transistor. Collector-emitter voltage 160V. Collector-base voltage 180V. Emitter-base voltage 6.0V Производитель: Wing Shing Electronic Co. - manufacturer of power semiconductors Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: SOT-23 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер WMBT5551LT1 datasheet: 36Kb Скачать WMBT5551LT1 datasheet: WMBT5551LT1.PDF |