|
 |
Название электронного компонента: MGFC41V3642 Описание MGFC41V3642: 3.6-4.2 GHz band 12W internally matched GaAs FET Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: GF-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MGFC41V3642 datasheet: 94Kb Скачать MGFC41V3642 datasheet: MGFC41V3642.PDF |