Название электронного компонента: ML776H11F Описание ML776H11F: InGaAsP- MQW DFB laser diode Производитель: Mitsubishi Electric Corporation, Semiconductor Group Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 85°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер ML776H11F datasheet: 144Kb Скачать ML776H11F datasheet: ML776H11F.PDF |