Название электронного компонента: CJD112 Описание CJD112: NPN Complementary silicon power darlington transistor Производитель: CENTR Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер CJD112 datasheet: 481Kb Скачать CJD112 datasheet: CJD112.PDF |