Название электронного компонента: CJD200 Описание CJD200: NPN Complementary silicon power transistor Производитель: CENTR Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DPAK (Pins: 4) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер CJD200 datasheet: 486Kb Скачать CJD200 datasheet: CJD200.PDF |